（１） K.Kawarada, Y.Yamamoto et.al. : "New modes of operation in plasma-coupled devices", Supplement to the Journal of the Japan Society of Applied Physics Vol.42, pp.187-194, (1973)
（２） T.Suzuki, Y.Yamamoto et.al. : "Recent advances in the plasma-coupled device", Supplement to the Journal of the Japan Society of Applied Physics Vol.43, pp.269-273, (1974)
（３） Y.Yamamoto : "A new semiconductor switching device", IEEE ED March, pp.364-366, (1976)
（４） Y.Yamamoto : "A new type of transistor with application for high sensitive imaging", Supplement to the Japanese Journal of Applied Physics, Vol.15, pp.253-257, (1976)
（５） T.Shibata, Y.Yamamoto :"Application of plasma coupled device to solid state image sensors", Supplement to the Japanese Journal of Applied Physics, Vol.45, pp.247-251, (1976)
（６） 山本、鈴木： ”ＰＣＤにおけるプラズマ結合現象の解析”， 電子通信学会論文誌 第６０−Ｃ巻 第１０号 ｐｐ．６０２−６０９， （１９７７）
（７） 山本、柴田、他： ”プラズマ結合形デバイスを用いたイメージセンサ”， 電子通信学会論文誌 第６０−Ｃ巻 第１１号 ｐｐ．７２０−７２７，（１９７７）
（８） 山本： ”コンダクタンストランジスタの電荷制御解析”，電子通信学会論文誌 第６１−Ｃ巻 第１２号 ｐｐ．７８３−７９０， （１９７８）
（９） 山本： ”結合抵抗の概念を用いたＰＣＤスキャナの動作解析”， 電子通信学会論文誌 第６２−Ｃ巻 第６号 ｐｐ．４４５−４５２， （１９７９）
（１０） T.Sakai, Y.Yamamoto et.al. : "Elevated electrode integrated circuits", IEEE SC Vol.SC-14, No.2, April, pp.301-307, (1979)
（１１） T.Sakai, Y.Yamamoto et.al. : "A 3-ns 1-kbit RAM using super self-aligned process technology", IEEE SC, Vol.SC-16, No.5, November pp.424-429, (1981)
（１２） T.Tamama, Y.Yamamoto et.al. : "Smallest p-n-p-n memory cell", IEEE ED Vol.ED-30, No.8, August, pp.927-933, (1983)
（１３） H.Miyanaga, Y.Yamamoto et.al. : "A 1.5ns 1K bipolar RAM using novel circuit design and SST-2 Technology", IEEE SC Vol.SC-19, No.3, June pp291-298 (1984)
（１４） Y.Yamamoto H.Miyanaga et.al.: "Schottky diode for bipolar LSI's consisting of an impurity-controlled Si substrate and Al(2%Si) Electrode", IEEE ED, Vol.ED-32, No.4, April, pp.766-772, (1985)
（１５） Y.Yamamoto, H.Miyanaga et.al. : "A MoSi2 Schottky diode for bipolar LSI's", IEEE ED Vol. ED-32, No.7, July, pp.1231-1239, (1985)
（１６） H.Miyanaga, Y.Yamamoto et.al. : "A 0.85-ns 1kbit ECL RAM", IEEE SC Vol.SC-21, No.4, August, pp.501-504, (1986)
（１７） Y.Yamamoto et.al. : "A novel concept for high-speed time switch approaching memory read cycle limit", IEEE Communications Vol.COM-34, No.9, September, pp.953-955, (1986)
（１８） N.Yamanaka, Y.Yamamoto et.al. : "Low-power Si-bipolar multi-Gbit/s logics having the same function as ECL100K Family", The transactions of the IECE of Japan, Vol.E-69, No.10, October, pp.1068-1071, (1986)
（１９） N.Yamanaka, Y.Yamamoto et.al. : "Newly structured 512Mbit/s high-speed time-division switch", Electronics letters 9th October Vol.22, No.21 pp.1094-1096, (1986)
（２０） 山本 ：”プラズマ結合型デバイスの解析と応用に関する研究”，静岡大学博士論文 第１９号 （１９８７）
（２１） Y.Yamamoto and K.Sakuma : "SDX:A novel self-aligned technique and its application to high-speed bipolar LSI's", IEEE ED Vol.ED-35, No.10, October, pp.1601-1608, (1988)
（２２） Y.Yamamoto : "A compact self-shielding prober for accurate measurement of on-wafer electron devices", IEEE ED Vol.ED-38, No.6, December, pp.1088-1093, (1989)
（２３） Y.Yamamoto and H.Miyanaga : "An analysis of positive and negative resistance characteristics in the high-current-density region of Schottky diodes", IEEE ED Vol.ED-37, No.5, May, pp.1364-1372, (1990)
（２４） T.Horiuchi, Y.Yamamoto et.al., "A simple and compact SR X-ray exposure system for fundamental research", Japanese Journal of
Applied Physics, Submitted (1994)
（２５） Y.Yamamoto , H.Inokawa et.al., "The performance of fabricated novel CMOS static-divider circuits", IEEE Solid-state Circuits, Submitted (1994)